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2023-08-15
目前，全球刻蝕機設(shè)備的參與者相對較少，行業(yè)整體處于寡頭壟斷格局。主要的參與者包括美國的Lam Research（泛林半導(dǎo)體）、AMAT（應(yīng)用材料）、日...
2023-08-15
最早的FC晶圓C4凸點制造技術(shù)是IBM公司開發(fā)的蒸鍍工藝，目前最常用的方法是電化學沉積或電鍍工藝。 芯片凸點的蒸鍍工藝流程如下：將鉬掩模板對中至...
2023-08-14
掩膜版的生產(chǎn)主要包括以下幾個流程：圖形光刻，顯影，蝕刻，脫膜，清洗。其中，圖形光刻是通過光刻機進行激光光束直寫，以完成圖形曝光，掩膜版制造都...
2023-08-14
掩膜板的基材一般為熔融石英（quartz），這種材料對深紫外光（DUV，KrF-248nm，ArF-193nm）具有高的光學透射，而且具有非常低的溫度膨...
2023-08-11
曝光劑量和曝光時間之間的換算因子 為了獲得根據(jù)光刻膠技術(shù)數(shù)據(jù)表中給出的推薦曝光劑量確定的正確地曝光時間，必須知道以下內(nèi)容: · 曝光...
2023-08-11
曝光：在光刻膠膜中發(fā)生的化學過程導(dǎo)致其在顯影液中溶解度的增加(正膠)或減少(負膠)，從而可以產(chǎn)生出特定結(jié)構(gòu)光刻膠膜。 基于DNQ-基光引發(fā)劑的正膠...
