国产精品揄拍100视频_久久99精品久久久久久噜噜_亚洲AV乱码久久精品蜜桃_精品人妻一区二区三区_婷婷五月深深久久精品
新聞

新聞

News

PECVD工藝

點(diǎn)擊量:380 日期:2023-07-26 編輯:硅時(shí)代

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vaper Deposition)是等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積,該技術(shù)是在低氣壓下,利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上(即樣品放置的托盤(pán))產(chǎn)生輝光放電,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的工藝氣體,這些氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),最終在樣品表面形成固態(tài)薄膜。

所謂等離子體,是指氣體在一定條件下受到高能激發(fā),發(fā)生電離,部分外層電子脫離原子核,形成電子、正離子和中性粒子混合組成的一種形態(tài),這種形態(tài)就稱(chēng)為等離子態(tài)。

         PECVD的工藝原理:在反應(yīng)過(guò)程中,反應(yīng)氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入爐腔,逐漸擴(kuò)散至樣品表面,在射頻源激發(fā)的電場(chǎng)作用下,反應(yīng)氣體分解成電子、離子和活性基團(tuán)等。這些分解物發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成形成膜的初始成分和副反應(yīng)物,這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面,生成固態(tài)膜的晶核,晶核逐漸生長(zhǎng)成島狀物,島狀物繼續(xù)生長(zhǎng)成連續(xù)的薄膜。在薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中,各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離,在真空泵的作用下從出口排出。

        首先,在非平衡等離子體中,電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級(jí)反應(yīng),使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解,形成離子和活性基團(tuán)的混合物;其次,各種活性基團(tuán)向薄膜生長(zhǎng)表面和管壁擴(kuò)散運(yùn)輸,同時(shí)發(fā)生各反應(yīng)物之間的次級(jí)反應(yīng);最后,達(dá)到生長(zhǎng)表面的各種初級(jí)反應(yīng)和次級(jí)反應(yīng)產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應(yīng),同時(shí)伴隨有氣相分子物的再放出。

PECVD的優(yōu)勢(shì):

1、基本溫度低(300-500°C);

2、沉積速率快;

3、成膜質(zhì)量好,針孔少,不易龜裂

  • 聯(lián)系我們
  • 聯(lián)系電話:0512-62996316
  • 傳真地址:0512-62996316
  • 郵箱地址:sales@si-era.com
  • 公司地址:中國(guó)(江蘇)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蘇州片區(qū)——蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)納米城西北區(qū)09棟402室
  • 關(guān)注與分析
蘇州硅時(shí)代電子科技有限公司 版權(quán)所有 Copyright 2020 備案號(hào):蘇ICP備20007361號(hào)-1 微特云辦公系統(tǒng) 微納制造 MEMS設(shè)計(jì)
一鍵撥號(hào) 一鍵導(dǎo)航